ISZ040N03L5IS INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf

英飞凌的ISZ040N03L5IS是一款高性能的OptiMOS功率MOSFET，设计用于高效率的同步降压转换器。这款电子元器件芯片具有以下显著特点： 1. **集成化的单片式肖特基样二极管**：ISZ040N03L5IS集成了肖特基二极管，减少了外部组件的需求，简化了电路设计，同时提高了系统的可靠性和效率。 2. **超低导通电阻RDS(on)**：在VGS = 4.5V时，其最大导通电阻仅为4.0毫欧，这使得它在大电流应用中能实现非常低的电压降，从而提高能源转换效率。 3. **优越的热性能**：这款MOSFET具有出色的热阻特性，能够快速有效地散发热量，确保在高功率运行时的稳定性。 4. **N沟道结构**：ISZ040N03L5IS是N沟道MOSFET，适合用于需要通过栅极电压控制电流流动的应用。 5. **无铅电镀与环保认证**：产品符合RoHS标准，不含有铅，并且根据IEC61249-2-21标准是无卤素的，对环境友好。 6. **关键性能参数**：包括最大电压VDS为30V，最大瞬态源漏极电流ID为40A，关断电荷QOFF为12nC，总栅极电荷QG(0V..10V)为17nC。 7. **封装与标记**：采用TSDSON-8 FL封装，产品代码为ISZ040N03L5ISPG-TSDSON-8 FL，其相关链接提供了更多关于该产品的信息，如40N03LI-2等其他OptiMOS功率MOSFET型号。 8. **规格与数据表**：包括最大额定值、热特性、电气特性、电气特性图以及封装轮廓等内容。这些详细信息为设计工程师提供了必要的参数，以便在实际应用中正确选择和使用此MOSFET。 9. **修订历史**：文件的修订历史记录了产品规格的更新和改进，对于跟踪产品的演变和发展是有用的。 10. **商标**：提到了英飞凌的OptiMOS商标，这是英飞凌在功率半导体领域的知名品牌，代表了高效、高品质的产品。 这款MOSFET适用于电源管理、直流-直流转换器、电池管理系统、服务器电源以及其他需要高效能、低损耗电力转换的领域。通过其优化的同步FET设计和卓越的电气性能，ISZ040N03L5IS可以显著提升系统效率并降低整体功耗，同时提供可靠的解决方案。