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ISZ0804NLS INFINEON 英飞凌芯片中文版规格书手册.pdf

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ISZ0804NLS

Rev.2.1,2021-04-01Final Data Sheet

5 8

PG-TSDSON-8FL

Drain

Pin 5-8

Gate

Pin 4

Source

Pin 1-3

*1: Internal body diode

MOSFET

OptiMOS

5Power-Transistor,100V

Features

•Idealforhigh-frequencyswitching

•Optimizedforcharger

•100%avalanchetested

•Superiorthermalresistance

•N-channel,logiclevel

•Pb-freeleadplating;RoHScompliant

•Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

Productvalidation

QualifiedaccordingtoJEDECStandard

Table1KeyPerformanceParameters

Parameter Value Unit

100 V

DS(on),max

11.5 mΩ

58 A

oss

24 nC

(0V..4.5V) 9.2 nC

Type/OrderingCode Package Marking RelatedLinks

ISZ0804NLS PG-TSDSON-8 FL 0804NL -

OptiMOS

5Power-Transistor,100V

ISZ0804NLS

Rev.2.1,2021-04-01Final Data Sheet

TableofContents

Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

Thermal characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

Electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

Electrical characteristics diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Package Outlines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

Trademarks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

OptiMOS

5Power-Transistor,100V

ISZ0804NLS

Rev.2.1,2021-04-01Final Data Sheet

1Maximumratings

atT

=25°C,unlessotherwisespecified

Table2Maximumratings

Values

Min. Typ. Max.

Parameter Symbol Unit Note/TestCondition

Continuous drain current

=10V,T

=25°C

=10V,T

=100°C

=10V,T

=25°C,

thJA

=60°C/W

Pulsed drain current

D,pulse

- - 232 A T

=25°C

Avalanche energy, single pulse

- - 60 mJ I

=20A,R

=25Ω

Gate source voltage V

-20 - 20 V -

Power dissipation P

tot

2.1

=25°C

=25°C,R

thJA

=60°C/W

Operating and storage temperature T

,T

stg

-55 - 150 °C

IEC climatic category; DIN IEC 68-1:

55/150/56

2Thermalcharacteristics

Table3Thermalcharacteristics

Values

Min. Typ. Max.

Parameter Symbol Unit Note/TestCondition

Thermal resistance, junction - case,

bottom

thJC

- 1.2 2.1 °C/W -

Thermal resistance, junction - case,

top

thJC

- - 20 °C/W -

Device on PCB,

6 cm² cooling area

thJA

- - 60 °C/W -

Rating refers to the product only with datasheet specified absolute maximum values, maintaining case temperature

as specified. For other case temperatures please refer to Diagram 2. De-rating will be required based on the actual

environmental conditions.

Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm

(one layer, 70 µm thick) copper area for drain

connection. PCB is vertical in still air.

See Diagram 3 for more detailed information

See Diagram 13 for more detailed information

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