200 V高压SOI PLDMOS研究* (2009年)

提出了一种200 V高压SOI PLDMOS器件结构，重点研究了SOI LDMOS的击穿电压、导通电阻等电参数与漂移区注入剂量、漏端缓冲层、Nbody注入剂量及场极板长度等之间的关系。经过专业半导体仿真软件TSUPREM-4和MEDICI模拟仿真，在0.8μm埋氧层、10μm SOI层材料上设计得到了关态耐压248 V、开态饱和电流2.5×10-4／μm、导通电阻2.1(105Ω*μm的SOI PLDMOS，该器件可以满足PDP扫描驱动芯片等的应用需求。