基于SOI高压集成技术的电平位移电路设计

本文设计一种应用于8～-100V电源的电平位移电路。通过在常规正电源电平位移电路的基础上改变低压控制方式来实现从0～8V低压逻辑输入到8～-100V高压驱动输出的转换。基于此电路结构设计了满足电路应用需求的高压器件。并对高压LDMOS进行了优化设计，尤其是高压nLDMOS的开态耐压。得到高压nLDMOS的关态击穿电压215V，开态击穿电压140V，阈值电压24V;高压pLDMOS的关态击穿电压200V，开态击穿电压160V，阈值电压-1V。