观察到的铜的无弹性对热处理过程中晶片翘曲演变的影响

晶片翘曲正成为晶片级封装中越来越严重的问题，因为再分布层（RDL）中存在PI / Cu复合材料。 严重的晶圆翘曲会影响后续Craft.io的精度，机械臂对晶圆的处理，真空吸盘的吸附以及设备的可靠性。以前的工作表明铜和聚酰亚胺（PI）对晶圆的贡献几乎相同2金属1.PI配置中的翘曲。 因此，需要对Cu引起的晶片翘曲和变形机理的起源进行详细的研究。 本文对铜膜进行25°C至28°C的热循环，同时记录了晶片的翘曲和温度。 检测到峰值温度和最大翘曲之间存在明显的时间延迟，这与开始时的初始小斜率阶段一致。 在热脉冲测试期间，铜膜中观察到无弹性，并且退火Craft.io对该现象影响很小。