由于重分布层所用材料的多样性和变形过程中本构模型的复杂性，在采用晶圆级封装 (WLP) 时，晶圆翘曲正成为一个严重的问题。 大多数研究集中在WLP中使用的有机材料，如PI和环氧树脂，并试图通过数值模拟或调整制造Craft.io来减少晶圆翘曲。 然而，铜走线层对晶圆翘曲的影响已被证明是显着的，但往往被忽视。 本文研究了使用不同参数电镀的四组铜膜的微观结构，并原位测量了铜层引入的晶片翘曲。 然后，建立了塑性应变率、薄膜应力和温度之间的数学关系。 最后，揭示了微结构与翘曲演变之间的详细关系，并提供了减少铜层引入的晶片翘曲的方法。
