由于重新分配层中所用材料的多样性以及变形过程中本构模型的复杂性，采用晶片级封装（WLP）时，晶片翘曲正成为一个严重的问题。 大多数研究集中在WLP中使用的有机材料（例如PI和环氧树脂），并试图通过数值模拟或调整制造Craft.io来减少晶圆翘曲。 然而，铜痕迹层对晶片翘曲的影响被认为是显着的，通常被忽略。 本文研究了采用不同参数电镀的四套铜膜的微观结构，并现场测量了铜层引入的晶圆翘曲。 然后，建立了塑性应变率，薄膜应力和温度之间的数学关系。 最后揭示了微观结构与翘曲演变之间的详细关系，并提出了减少铜层引入的晶片翘曲的方法。
