冷却至极低温度下晶圆翘曲演变的研究

晶圆级芯片级封装由于其低成本和小尺寸因素而成为移动设备中使用的芯片封装形式的主流。 由铜-PI复合材料组成的再分布层通常会导致严重的晶圆翘曲，并且在加热过程中铜的塑性变形也起着重要的作用。 为了减少由铜层引起的晶片翘曲，提出了将铜厚膜/ Si复合材料冷却至极低温度（-196℃，通过液氮）的方法，并且在该过程之后，减小了翘曲。对于钝化的铜膜和空白的铜膜，分别降低了65％和93.5％。 根据测量结果和基于线性温度相关扩散能Q的模块，推导出低于环境温度的热力学响应。在初始加热过程中检测到清晰的线性应力恢复，这表明在取出样品后不久便出现了明显的应力松弛。液氮。