没有合适的资源?快使用搜索试试~
我知道了~
文库首页
开发技术
其它
不同取向GaAs衬底上非晶CoFeB薄膜的单轴磁各向异性
不同取向GaAs衬底上非晶CoFeB薄膜的单轴磁各向异性
研究论文
0 下载量
38 浏览量
2021-03-04
03:55:54
上传
评论
收藏
559KB
PDF
举报
温馨提示
立即下载
不同取向GaAs衬底上非晶CoFeB薄膜的单轴磁各向异性
资源推荐
资源评论
GaAs衬底-纳米线型pn结电学特性的理论分析
浏览:90
GaAs衬底-纳米线型pn结电学特性的理论分析,陈文丽,李军帅,本文从理论上研究了GaAs衬底-纳米线型pn结的电学特性。结果显示,GaAs衬底-纳米线型pn结表现出明显的二极管特性,与已有的实验数据相�
硼和氮的结合:在 (001) GaAs 衬底上有机金属气相外延中形成 AIIIBV 固溶体
浏览:19
衬底上有机金属气相外延中形成 AIIIBV 混合晶体 简短讲座 硼和氮掺入:在 (001) GaAs 衬底上有机金属气相外延中形成 AIIIBV 混合晶体 V. Gottschalcha, *, G. Leibigera, G. Benndorfb aUniversität Leipzig, ...
GaAs衬底上氮化硅钝化层的低温制备工艺研究
浏览:123
为了获得应用于AlGaAs 激光器上的优异的氮化硅薄膜,采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)低温条件下在GaAs 衬底上制备了不同参数的氮化硅薄膜,利用光学膜厚仪、原子力显微镜(AFM)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)等技术对...
GaAs衬底上具有2.9μmI型发射的InAs / In0.83Al0.17As量子阱
浏览:146
原子力显微镜显示了GaAs衬底上结构的光滑表面。 对于基于GaAs的量子阱,已经实现了在300K下2.9μm的良好的光致发光发射,并且光学质量与InP衬底上的结构相当。 有望将这种变质量子阱结构用于基于GaAs的无锑中红外...
具有改进的Chebyshev结构的GaAs衬底上的紧凑型UWB带通芯片滤波器
浏览:124
具有改进的Chebyshev结构的GaAs衬底上的紧凑型UWB带通芯片滤波器
Ga束流低温辅助清理GaAs衬底表面氧化物的研究
浏览:194
采用低流量III族Ga束流在分子束外延中低温辅助清理GaAs衬底表面氧化物。采用高能电子衍射监控衬底表面氧化物清理过程并得出氧化物清理速率及氧化层对高能电子的吸收系数。根据清理速率对衬底温度依赖的Arrhenius关系...
Fe3O4 / GaAs(100)外延结构中的磁各向异性
浏览:147
Fe3O4 / GaAs(100)外延结构中的磁各向异性
在GaAs衬底上制备45 nm高In成分变质In(0.7)Ga0.3As / In0.6Ga(0.4)As复合通道高电子迁移率晶体管
浏览:99
在GaAs衬底上制备45 nm高In成分变质In(0.7)Ga0.3As / In0.6Ga(0.4)As复合通道高电子迁移率晶体管
通过金属有机化学气相沉积法在GaAs衬底上制备160 nm T栅极变质AlInAs / GaInAs HEMT
浏览:28
报道了通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)在GaAs衬底上生长的160 nm栅长变质AlInAs / GaInAs高电子迁移率晶体管(mHEMT)的制造和性能。 通过使用新颖的光学和电子束光刻技术,已经实现了亚微米mHEMTs器件。 这些...
氩等离子体清洗对GaAs衬底表面特性的影响
浏览:79
氩等离子体清洗对GaAs衬底表面特性的影响
GaAs衬底制备40nmT型栅工艺 (2012年)
浏览:94
采用双层胶工艺电子束光刻在GaAs衬底上制备40 nm栅长T型栅。制备过程仅需1次曝光1次显影,使得工艺制备过程得到简化;优化的栅制作工艺保证了形貌良好的栅线条。实验结果表明,该方法能制备40 nm栅长的T型栅,基本...
CdSe量子点敏化对GaAs发光特性的影响
浏览:17
为了探究量子点敏化对GaAs衬底发光性能的影响,采用化学沉积法制备了CdSe量子点,将量子点沉积在GaAs衬底上进行敏化。采用X射线衍射测试确认物相,利用扫描电子显微镜对量子点的形貌进行表征,并通过荧光光谱测试对CdSe...
Si衬底上生长的GaAs薄膜中深中心发光的温度效应
浏览:63
测量了Si衬底上生长的GaAs薄膜中与深中心有关的发光带的变温光谱,研究了0.78 eV、0.84 eV和0.93 eV发光带的峰值位置和发光强度随着温度的变化关系,发现它们的发光强度随温度的变化服从描述非晶半导体中局域态发光...
用固态杂质源在GaAs衬底上实现的连续波CO
浏览:126
用含Zn的固态杂质源,在化合物半导体GaAs基片上进行了连续波(CW)10.6 μm激光诱导扩散,做出了P-N结。分别利用扫描电子显微镜和二次离子质谱仪对扩散样品进行扩散区形貌分析和杂质分布研究,给出了结深xj、杂质浓度分布...
通过MOCVD在GaAs衬底上制备150nm T-Gate变质AlInAs / GaInAs HEMTs
浏览:143
摘要—通过引入金属-有机化学气相沉积技术,并采用有效的多级缓冲方案,已经开发出了栅极长度为150 nm,具有非常好的器件性能的亚型AlInAs / GaInAs高电子迁移率晶体管(HEMT)。 通过结合使用光学和电子束光刻技术...
过渡层对Ge衬底GaAs外延层晶体质量的影响
浏览:129
利用低压金属有机化学汽相淀积(MOCVD)设备在Ge衬底上生长GaAs外延层。通过改变GaAs过渡层的生长温度对GaAs外延层进行了表征,利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪研究了表面形貌和晶体质量,优化出满足高效太阳能电池...
在Si衬底上异质外延GaAs薄膜变激发强度的近红外光致发光
浏览:41
通过对用MOCVD(金属有机物化学气相沉积)方法在Si衬底上生长的GaAs外延薄膜,用不同激发强度下的近红外光致发光研究了液氮温度下峰值能量为1.13 eV和1.04 eV两个带谱的发光特性,表明这两个带均属于施主-受主对复合发光...
行人惯性导航零速检测算法
浏览:41
行人惯性导航零速检测算法
混合动力汽车基于规则的控制和ECMS与优化等效因子的实时能源管理策略
浏览:168
混合动力汽车基于规则的控制和ECMS与优化等效因子的实时能源管理策略
基于CORDIC的反正弦和反余弦计算的FPGA实现
浏览:12
5星 · 资源好评率100%
基于CORDIC的反正弦和反余弦计算的FPGA实现
BA无标度网络中的SIR模型
浏览:109
BA无标度网络中的SIR模型
使用3DCNN和卷积LSTM进行手势识别学习时空特征
浏览:92
使用3DCNN和卷积LSTM进行手势识别学习时空特征
基于三次贝塞尔曲线的类汽车曲率连续路径平滑
浏览:129
本文重点研究在大型科学设施环境中工作的类似汽车的车辆的可行路径的生成。 考虑曲率连续性和最大曲率约束,一种新颖的路径平滑算法是根据三次贝塞尔曲线提出的。 在算法中,贝塞尔转弯和贝塞尔路径分别为发达。 Bezier 转弯首先设计用于连接两个任意配置。 然后可以通过以下方式获得贝塞尔路径使用贝塞尔曲线来拟合避免碰撞规划器提供的一系列目标点。 在算法的指导下,车辆可以以预定的方向到达目标点。 模拟实验进
基于机器学习的设备剩余寿命预测方法综述
浏览:97
基于机器学习的设备剩余寿命预测方法综述
基于无差拍预测控制和扰动观测器的永磁同步电机电流控制
浏览:66
基于无差拍预测控制和扰动观测器的永磁同步电机电流控制
基于FPGA的奇异值和特征值分解的快速实现。
浏览:199
基于FPGA的奇异值和特征值分解的快速实现。
基于BP神经网络的人口预测
浏览:161
基于BP神经网络的人口预测
无人机协同目标的多无人机协同搜索方法
浏览:160
无人机协同目标的多无人机协同搜索方法
两轮平衡车的建模与控制研究
浏览:185
两轮平衡车的建模与控制研究
评论
收藏
内容反馈
立即下载
资源评论
资源反馈
评论星级较低,若资源使用遇到问题可联系上传者,3个工作日内问题未解决可申请退款~
联系上传者
评论
weixin_38720173
粉丝: 8
资源:
944
私信
上传资源 快速赚钱
我的内容管理
展开
我的资源
快来上传第一个资源
我的收益
登录查看自己的收益
我的积分
登录查看自己的积分
我的C币
登录后查看C币余额
我的收藏
我的下载
下载帮助
前往需求广场,查看用户热搜
最新资源
feeds_tab_manager_simpleTabListCache
Unity ScrollRect Item 定位
物联网2302邢亚坤202302050232心理笔记.doc
SAP 消息号C+811解决方案
map_tplan_3.1.0.18525.pak
peripheral.c
git忽略文件的配置文件
Koloro_v6.2.7.apk
tensorflow-2.8.1-cp310-cp310-win-amd64.whl
tensorflow-gpu-2.8.1-cp310-cp310-win-amd64.whl
资源上传下载、课程学习等过程中有任何疑问或建议,欢迎提出宝贵意见哦~我们会及时处理!
点击此处反馈
安全验证
文档复制为VIP权益,开通VIP直接复制
信息提交成功