这项工作报告了在基于GaAs的变体In0.83Al0.17As缓冲液上生长的InAs量子阱(QW),用于I型中红外(MIR)发射。 X射线衍射和拉曼测量表明,基于GaAs的量子阱与基于InP的结构具有相似的晶格和应变条件。 原子力显微镜显示了GaAs衬底上结构的光滑表面。 对于基于GaAs的量子阱,已经实现了在300K下2.9μm的良好的光致发光发射,并且光学质量与InP衬底上的结构相当。 有望将这种变质量子阱结构用于基于GaAs的无锑中红外激光器的演示。
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