InAs/GaAs/InP及InAs/InP自组装量子点室温PL谱的研究 (2001年)

用五带k・P模型计算InAs/GaAs/InP及InAs/InP的室温PL谱的能级分布，分析 PL谱峰值．发现GaAs的张应变层影响PL峰值位置，与InAs/InP量子点相比，InAs/ GaAs/InP量子点PL谱峰值有明显红移，并从能带理论给出解释．