硼和氮掺入：在
(001)
GaAs
衬底上有机金属气相外延中形成
AIIIBV
混合晶体
简短讲座
硼和氮掺入：在
(001)
GaAs
衬底上有机金属气相外延中形成
AIIIBV
混合晶体
V.
Gottschalcha,
*,
G.
Leibigera,
G.
Benndorfb
aUniversität
Leipzig,
Institute
for
Inorganic
Chemistry,
Linnéstr。
3,
D-04103
Leipzig
bUniversität
Leipzig,
Institute
for
Experimental
Physics
II,
Linnéstr.
5、D-04103莱比锡关键词：MOVPE；
AIIIBV
化合物
在
AIIIBV
化合物中加入硼和氮是通过形成混合晶体来有针对性地改变带隙的合适选择。
这种混合晶体层根据它们改变的带隙和吸收系数，作为太阳能电池中的吸收层（晶格适应（001）GaAs衬底材料）和半导体激光器结构中的活性材料（强应变量子阱）形成了有前景的材料基础.
亚稳态混合晶体
BxGa1
x
yInyAs、BxAl1
x
y
