摘要—通过引入金属-有机化学气相沉积技术，并采用有效的多级缓冲方案，已经开发出了栅极长度为150 nm，具有非常好的器件性能的亚型AlInAs / GaInAs高电子迁移率晶体管（HEMT）。 通过结合使用光学和电子束光刻技术，已实现了亚微米mHEMT器件。 该器件具有良好的直流和射频性能。 这最大跨导为1074 mS / mm。 非合金欧姆接触电阻Rc低至0.02Ω·mm。 单位电流增益截止频率（fT）和最大振荡频率（fmax）分别为279 GHz和231 GHz。 该器件具有150nm栅极长度HEMT的最高fT。 同样，在该器件中获得的输入电容与栅漏反馈电容之比Cgs / Cgd为3.2。
