Hetero-epitaxy of Lg=0.13-um metamorphic AlInAs/GaInAs HEMT on Si substrates by MOCVD for logic applications
根据给定的文件信息，以下是对相关知识点的详细说明：
**标题知识点说明：**
1. **Hetero-epitaxy（异质外延）**：异质外延是一种半导体材料生长技术，指的是在一个不同的材料基底上生长另一种材料的单晶薄膜。由于两者具有不同的晶格常数，生长时需要克服晶格失配的问题以减少缺陷。在这个研究中，异质外延技术用于在硅基底上生长AlInAs/GaInAs异质结构高电子迁移率晶体管（HEMT）。
2. **Lg=0.13-um（栅长0.13微米）**：这指的是HEMT器件的栅长度为0.13微米。栅长是影响晶体管速度的重要因素之一，较小的栅长有助于提高器件的开关速度和频率特性。
3. **Metamorphic（变质结构）**：变质结构是指通过有意识地引入晶格失配来改变材料的晶体结构。在HEMT中，使用变质结构可以减小硅基底与高迁移率层之间的晶格失配，从而减小缺陷密度，提高器件性能。
4. **AlInAs/GaInAs HEMT（铝铟砷/镓铟砷高电子迁移率晶体管）**：HEMT是一种场效应晶体管，它利用异质结构界面的二维电子气（2DEG）进行导电。AlInAs和GaInAs通常作为通道材料和势垒材料来构建HEMT，因为它们都具有较高的电子迁移率。
5. **Si substrates（硅基底）**：在半导体工业中，硅基底是最常用的衬底材料之一。由于硅具有成熟的制造工艺和较低的成本，将高性能HEMT技术拓展到硅基底具有重要的工业意义。
6. **MOCVD（金属有机化学气相沉积）**：MOCVD是一种用于生长多组分半导体材料的化学气相沉积技术。它通过控制气体流量和温度，将特定的金属有机化合物与反应气体结合，在衬底表面沉积形成薄膜。
7. **Logic applications（逻辑应用）**：指将该技术应用于数字逻辑电路的设计中，如微处理器和数字信号处理器。利用HEMT的高速特性，可以在逻辑电路中实现更快的数据处理速度。
**描述知识点说明：**
描述部分重复了标题的内容，没有提供额外的信息。因此，这里不再赘述。
**标签知识点说明：**
1. **研究论文（Research paper）**：这是一个学术研究领域的术语，指的是发表在学术期刊上的文章，通常包含对某一科研领域的研究发现或实验结果。
**部分内容知识点说明：**
1. **Chinese Physics B（《中国物理B》）**：这是一本由中国物理学会主办的科学期刊，主要刊登物理学领域的研究论文，涵盖了从基础物理到应用物理的诸多领域。
2. **Citation（引用）**：指的是对研究论文的引用，通常包括期刊名称、出版年份、卷号、页码等信息，用于学术研究中对先前工作的参考和验证。
3. **Journal homepage（期刊主页）**：提供了该期刊在线的网址，便于访问者查找更多相关资料和阅读其他文章。
4. **Institutional subscription information（机构订阅信息）**：这部分提供了期刊的订阅价格和购买方式等信息，供学术机构或个人进行订阅。
整个文档说明了如何在一个以硅为基底的材料上通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术，生长出具有高性能的铝铟砷/镓铟砷高电子迁移率晶体管（HEMT），这些晶体管的栅长为0.13微米，具有变质结构以减少与硅基底之间的晶格失配。这类HEMT在逻辑应用中具有重要的应用前景，例如在微处理器和数字信号处理器中使用。同时，文档还提及了相关的研究成果及期刊信息，反映了该领域内的学术交流情况。
