采用超晶格方法，利用射频磁控共溅射及在N2气氛中退火技术，制备了多层Ge纳米晶(Ge-ncs)镶嵌Si基复合薄膜(Ge-ncs+SiO2/GeO2)．同时采用椭圆偏振光谱法，研究了Ge-ncs的光学性质，并用sp3紧束缚理论模式，解释了Ge-ncs带隙宽化现象．结果表明：用超晶格方法制备的多层Ge-ncs具有密度高、尺寸和位置分布均匀的优点，纳米晶平均尺寸为9.8 nm．复合薄膜(Ge- ncs+SiO2/GeO2)具有正常色散的特性，且在1 340 nm处具有较强烈的吸收特性；Ge-ncs的光学带隙为0
