采用XeCl脉冲准分子激光器，保持激光脉冲比为1∶3，分时烧蚀Er靶和高阻抗单晶Si靶，在10Pa的Ne气环境下沉积了掺Er非晶Si薄膜。在氮气保护下，分别在1000℃，1050℃和1100℃温度下进行30min热退火处理。对所得样品的Raman谱测量证实，随着退火温度的升高，薄膜的晶化程度提高；利用扫描电子显微镜观测了所制备的掺Er纳米Si晶薄膜的表面形貌，并与相同实验参数、真空环境下烧蚀并经热退火的结果进行了比较。结果表明，Ne气的引入，使形成轮廓明显的掺Er纳米Si晶粒的退火温度降低，有利于尺寸均匀
