论文研究-界面陷阱电荷对高κ叠栅介质电学特性的影响 .pdf

界面陷阱电荷对高κ叠栅介质电学特性的影响，刘红侠，张言雷，本文详细讨论了采用原子层淀积技术（ALD）生长的薄膜中界面陷阱电荷对于高k叠栅HfO2/SiO2结构电学特性的影响，通过实验定量分析了界��