衬底温度对 MgxZn1- xO晶体薄膜表面形貌的影响 (2007年)

采用低温物理沉积技术在二氧化硅衬底(SiO2 /Si(100)生长出了MgxZn1-xO晶体薄膜 。用原子力显微镜(AFM)测得不同衬 底温度下晶体薄膜的表面平整性,根据测得的数据资料分析衬底温度对薄膜表面粗糙度的影响,发现在250℃时生长得到的 MgxZn1-xO薄膜具有最好的平整性,这也和以前生长的MgxZn1-xO薄膜分析结果一致 。