论文研究 - 衬底温度对射频磁控溅射制备Au / SiO2纳米复合薄膜结构和光学性能的影响

通过磁控管射频（rf）溅射技术在各种沉积条件下生长包含金纳米颗粒的二氧化硅膜。 比较了在400℃衬底温度下沉积的复合膜与在室温下沉积的复合膜的结构和光学性质。 研究了AuNPs的衬底温度对Au / SiO2纳米复合薄膜微观结构性能的影响，如尺寸，位错密度（δ），应变（ε）和晶格畸变（LD）。 使用X射线衍射确认了无定形二氧化硅介电基质中包含的Au纳米颗粒的面心立方晶体结构。 在3×10﹣3 mbar和2×10﹣3mbar氩气​​压力下，AuNPs的平均晶粒尺寸分别在0.56-0.60 nm和1.15-1.23 nm范围内。 δ，ε，LD值随衬底温度的升高成反比。 这些复合材料表现出具有直接带隙的半导体的光学特征。 当基底温度从25℃升至400℃时，金纳米粒子的带隙能达到3.85 eV和4.1 eV。 对于在2×10 3 mbar和400℃的衬底温度下沉积的样品，金纳米粒子的表面等离子体共振带吸收（SPR）特性的峰值波长约为500 nm。