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快速热退火对在不同衬底温度下沉积的重掺杂ZnO薄膜中电输运的影响
快速热退火对在不同衬底温度下沉积的重掺杂ZnO薄膜中电输运的影响
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快速热退火对在不同衬底温度下沉积的重掺杂ZnO薄膜中电输运的影响
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不同衬底温度对ZnO薄膜结构和光学性质的影响 (2014年)
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利用磁控溅射在玻璃基片上制备了不同衬底温度下的ZnO薄膜.借助x射线衍射仪(XRD)、吸收光谱、光致发光谱(PL)等手段研究了衬底温度对ZnO薄膜的微结构、光致发光性能的影响.结果表明:所有样品均呈现ZnO六角纤锌矿结构且具有高度c轴择优取向;ZnO薄膜在可见区的吸收系数很小,在紫外区有很高的吸收系数;室温下的荧光光谱显示薄膜具有较强的紫光发射.
衬底温度对MOCVD法制备的Sb掺杂ZnO薄膜的光学和电学特性的影响
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衬底温度对MOCVD法制备的Sb掺杂ZnO薄膜的光学和电学特性的影响,李硕石,程轶,采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法,于不同衬底温度下在c面蓝宝石衬底上制备了Sb掺杂的ZnO薄膜,并对薄膜进行了X射线衍射(XRD),霍�
退火温度对用PIII方法制备共掺杂p型ZnO薄膜结构和性能的影响 (2011年)
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采用射频磁控共溅射的方法制备出ZnO: Al薄膜,以NO和O2为源气体(V( O2 ) /V( O2 + NO) = 75%),采用等离子体浸没离子注入(PIII)方法对薄膜进行注入得到ZnO: Al: N薄膜,注入剂量为2.23×1015 cm-2,并在N2氛围下对样品进行了不同温度的退火处理。通过XRD图谱、霍尔效应(Hall)测试结果、紫外可见光透射光谱等对样品的结构和性能进行了分析,着重研
退火温度对Al掺杂ZnO薄膜结构和性能的影响 (2011年)
浏览:93
采用直流磁控溅射技术,在玻璃衬底上制备了ZnO:Al(ZAO)薄膜样品。其他参数不变,在不同的温度下对样品进行了退火处理,研究了薄膜的结构性质、电学和光学性质随退火温度的变化关系。实验结果表明:在退火温度为200℃时,ZAO薄膜具有较优的光电性能,其电阻率为9.62×10-5。cm,可见光区平均透射率为89.2%。
退火温度对未掺杂ZnO薄膜的结构、电学和光学性质的影响 (2007年)
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本工作利用磁控溅射技术在石英衬底上生长出沿c轴择优取向的未掺杂ZnO薄膜,利用X射线衍射,光致发光,X射线光电子谱和Hall效应测量技术,研究了退火温度对结构、电学和光学性质的影响.发现真空退火可以提高ZnO的晶体和光学质量.生长的ZnO薄膜呈绝缘性质,经真空退火后变成导体,且导电类型和电性随退火温度而改变,并经590 ℃退火后获得p型ZnO.本文对退火影响ZnO结构、电学和光学性能的物理机制进行
论文研究 - 气敏应用金属有机化学气相沉积铬掺杂氧化锌薄膜的合成与表征
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掺杂铬(Cr)的氧化锌ZnO薄膜通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在420°C的温度下以不同的掺杂剂浓度沉积在玻璃基板上。 研究了铬浓度对薄膜的形态,结构,光学,电学和气敏性能的影响。 扫描电子显微镜结果表明...
论文研究 - 单固体前驱体制备金属有机化学气相沉积铝掺杂ZnO薄膜及其性能
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采用金属有机化学气相沉积技术(MOCVD),使用制备的乙酸锌二水合物(Zn(CH3COO)2⋅2H2O)的混合物将氧化锌(ZnO)和铝掺杂的ZnO(AZO)薄膜沉积在钠钙玻璃上。 ZAD)和乙酰丙酮铝(Al(C5H702)3; AAA)的前体,...
退火气氛对溶胶-凝胶法制备铝掺杂氧化锌薄膜光电性能的影响
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为研究退火气氛对氧化锌(AZO)薄膜光电性能的影响,采用溶胶-凝胶法在石英基片上制备铝掺杂AZO薄膜。利用X射线衍射、场发射电子扫描显微镜对薄膜的物相结构和形貌进行表征;采用霍尔效应测试仪、紫外-可见-红外分光光度...
衬底温度对反应溅射ZnO:Al导电薄膜性能的影响
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在衬底温度170℃,工作压力2.5mTorr,氧氩比3/18的条件下,制备了ZnO:Al薄膜,利用X射线衍射仪对薄膜的结构进行了分析,利用分光光度计和四探针法测量了薄膜的光学和电学性能,研究了制备薄膜时不同的衬底温度对薄膜...
溅射和退火温度对磁控溅射法生长的ZnO薄膜性质的影响
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溅射和退火温度对磁控溅射法生长的ZnO薄膜性质的影响,王彬,赵子文,利用磁控溅射法在Al203(001)衬底上生长ZnO薄膜,生长温度分别为500℃、550℃、600℃和650℃。生长后进行了800℃退火和1000℃退火处理。利用X
溶胶-凝胶法制备铝和镓掺杂氧化锌薄膜的热稳定性对比研究
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溶胶-凝胶法制备铝和镓掺杂氧化锌薄膜的热稳定性对比研究,侯波,许爱燕,为了研究AZO和GZO薄膜在空气中的热稳定性能,本文采用溶胶-凝胶的方法在普通玻璃基片上镀制了掺杂浓度均为1 at.%的AZO和GZO薄膜。...
衬底和热处理温度对ZnO薄膜的微观结构的影响 (2013年)
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利用XRD和SEM研究了衬底和热处理温度对ZnO薄膜的物相结构、表面形貌和(002)定向性的影响。结果表明,sol-gel旋涂法制备的ZnO薄膜为六角纤锌矿结构,玻璃衬底上生长的ZnO薄膜为多晶形态,Si(100)衬底表现出更优取向...
基础电子中的衬底温度对反应溅射ZnO:Al导电薄膜性能的影响
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在衬底温度170℃,工作压力2.5mTorr,氧氩比3/18的条件下,制备了ZnO:Al薄膜,利用X射线衍射仪对薄膜的结构进行了分析,利用分光光度计和四探针法测量了薄膜的光学和电学性能,研究了制备薄膜时不同的衬底温度对薄膜...
基质温度对Li-W共掺杂ZnO薄膜掺杂特性的影响
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研究了在不同衬底温度下沉积的LWZO薄膜的特性。 基板温度低于120℃时C-根据X射线衍射(XRD)模式,薄膜以(002)面为首选取向的六角形纤锌矿结构保持不变-透光率高于85%。 当基材温度高于120℃时C,XPS和XRD的结果...
衬底温度对非极性ZnO薄膜结晶性能和发光特性的影响
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研究了衬底温度对ZnO薄膜结晶性能的影响。X射线衍射(XRD)分析结果表明在衬底温度为500 ℃时可以获得高质量的(1100)晶面取向的非极性ZnO薄膜。采用原子力显微镜(AFM)观察ZnO薄膜的表面形貌及晶体尺寸,观察到500 ℃...
论文研究-SiO2/Si衬底上制备增强型ZnO薄膜晶体管 .pdf
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SiO2/Si衬底上制备增强型ZnO薄膜晶体管,张景文,侯洵,在NH3和O2的混合气氛下,采用激光分子束外延法(L-MBE)在SiO2/p-Si衬底上制备氮掺杂ZnO薄膜, XRD分析表明ZnO薄膜掺入微量的氮后仍有很高�
衬底温度和溅射功率对AZO薄膜性能的影响 (2012年)
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采用RF磁控溅射法在载玻片上制备了可用于电极材料的掺Al氧化锌(AZO)透明导电薄膜,并对不同衬底温度和溅射功率下制备的AZO薄膜结构、光电性能进行了表征分析.结果表明:各种工艺条件下沉积的AZO薄膜均具有明显的(002)...
Au掺杂ZnO薄膜中Au的化学价态及其对薄膜电学和光学性质的影响
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Au掺杂ZnO薄膜中Au的化学价态及其对薄膜电学和光学性质的影响,徐莹,姚斌,利用射频磁控溅射和后热处理的方法制备了Au掺杂的ZnO (ZnO:Au) 薄膜。研究发现在室温条件下生长的ZnO:Au薄膜中,Au以正一价替代Zn位存在�
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源温度对基于CVD的ZnO:N薄膜性能影响,毛飞燕,邓宏,利用化学气相沉积 (CVD) 法,以Zn4 (OH)2(O2CCH3)6•2H2O为源,NH3为掺杂气体,在不同源温度下沉积ZnO:N薄膜,研究了样品的结构、光学、电学
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缓冲层退火对氧化锌薄膜结晶性质的影响,杨建增,梁红伟,利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上先制备一薄层氧化锌,而后将其在不同温度的氮气氛围下进行退火处理来制备氧化锌缓
退火对Al掺杂ZnO薄膜结构和磁性的影响 (2011年)
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采用直流磁控溅射法制备了Al掺杂ZnO薄膜,并在不同的氛围和温度下进行了退火处理.利用X射线衍射仪(XRD)和物理性能测量仪(PPMS).对薄膜的结构和磁性进行了表征.采用了一种改进的磁性修正方法对磁测量结果进行了修正....
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本文重点研究在大型科学设施环境中工作的类似汽车的车辆的可行路径的生成。 考虑曲率连续性和最大曲率约束,一种新颖的路径平滑算法是根据三次贝塞尔曲线提出的。 在算法中,贝塞尔转弯和贝塞尔路径分别为发达。 Bezier 转弯首先设计用于连接两个任意配置。 然后可以通过以下方式获得贝塞尔路径使用贝塞尔曲线来拟合避免碰撞规划器提供的一系列目标点。 在算法的指导下,车辆可以以预定的方向到达目标点。 模拟实验进
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