界面势垒限制和界面状态对si纳米晶体发光的影响

Si纳米晶体（Si-nc）的发光不仅取决于Si-nc本身，还取决于Si-nc及其基体之间的界面。 但是，关于界面作用的系统报告很少。 在这项工作中，我们通过设计具有由SiO2组成的不同基质的Si-nc样品，系统地研究了两种界面效应，即界面势垒限制和界面态对Si-nc的光致发光（PL）的影响。或/和Si3N4，并监测其PL发射与激发光子波长的函数，并结合电子占有概率计算。 我们的结果表明，两种界面效应均会强烈影响Si-nc的PL发射。 还检查了对发光有利和不利的界面状态。 从PL研究得出的结论也适用于Si-nc的电致发光（EL），除载流子转移外，界面效应应是Si-nc的EL的主要关注点。