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具有梯度组成的最后一个量子势垒且没有电子阻挡层的InGaN / GaN发光二极管的电子限制和空穴注入改善
具有梯度组成的最后一个量子势垒且没有电子阻挡层的InGaN / GaN发光二极管的电子限制和空穴注入改善
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具有梯度组成的最后一个量子势垒且没有电子阻挡层的InGaN / GaN发光二极管的电子限制和空穴注入改善
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本文对具有晶格匹配的InGaN / AlInN / InGaN(LM-IAI)量子阱(QW)势垒的... 此外,通过去除电子阻挡层可以进一步改善具有所提出的阻挡层的基于氮化物的LED的性能,这归因于空穴注入效率的提高和整体俄歇复合的降低。
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