垂直堆叠的InGaN / GaN多量子阱中的浅施主杂质：电场效应

基于有效质量近似，对垂直堆叠的Zbl InGaN / GaN多量子阱（MQWs）中的浅施主杂质态的电场效应进行了研究。 数值结果表明，如果向右（沿生长方向）施加电场，则施主结合能具有最大值，并且最大值的位置位于左阱内部。 此外，在电场的存在下，当势垒宽度大时，位于左阱中心的杂质的供体结合能对势垒宽度的增加不敏感。 特别地，还发现，随着电场的增加，位于MQWs中左阱中心的杂质的供体结合能具有最大值，并且当阱宽时，该临界电场减小。增加。