掺锌InGaN / GaN不对称耦合量子点中的浅施主杂质：电场的影响

考虑到施加到左侧（与生长方向相反）的电场的影响，我们已经进行了圆柱形Zbl InGaN / GaN非对称耦合量子点（QDs）中浅施主杂质态的理论计算。 数值结果表明，ZB InGaN / GaN非对称耦合QD中的施主结合能高度依赖于杂质位置，非对称耦合QD结构参数和电场。 在电场的存在下，如果左点的高度从零开始增加，则位于中间势垒层内部的杂质的施主结合能为最大值。 如果右点从零开始增加，则位于右点内部的杂质的施主结合能具有最大值。 还发现，对于位于右点中心的杂质，当电场较大时，供体结合能对电场不敏感；当电场较大时，供体结合能对电场不敏感。 但是，如果右点较宽，则临界电场较小。 尤其是，数值结果表明，如果右点较宽，则在电场的影响下，非对称耦合的QD更容易解耦。