InGaN / GaN单量子阱的温度依赖性生长

通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长了在各种InGaN生长温度下的InGaN / GaN单量子阱（SQW）结构，研究了其表面形态和光学性质。 SQW表面上典型V坑的半径受InGaN阱温度的影响，并且表面粗糙度随阱温度的降低而降低。 室温光致发光（PL）和阴极发光（CL）显示分别在700和690摄氏度下生长的SQW的量子阱和量子点（QD）状的局域态发光，而样品分别在670和650摄氏度下生长摄氏度表示混合发射峰。 依赖于激发功率的PL光谱表明，在低激发功率下，类似QD的局域态发射占优势，而在高激发功率下，量子阱发射开始接管。