选择性区域外延技术已被用于生长具有侧面事实的GaN条纹模板,随后是InGaN / GaN多量子阱(MQW)结构。 沿[1 1 -2 0]方向定向的条纹形成平滑的三角形(1 -1 0 1)面,而沿[1 -1 00]方向的条纹产生不完整的合并(1 1 -2 2)侧面,其平面(0 0 0 1)表面在相同的生长条件下。 通过使用光致发光(PL)和阴极致发光(CL)光谱研究室温发光特性。 发现对于定向为[1 1 -2 0]方向的三角形MQW,在400 nm处获得了均匀发射。 对于沿[1 -1 0 0]方向生长的MQW,由于横向蒸汽扩散和表面迁移,与侧壁相比,脊区域实现了较大的红移。 (C),2012 Elsevier BV保留所有权利。