GaN侧面上的InGaN / GaN多量子阱的选择性外延

选择性区域外延技术已被用于生长具有侧面事实的GaN条纹模板，随后是InGaN / GaN多量子阱（MQW）结构。 沿[1 1 -2 0]方向定向的条纹形成平滑的三角形（1 -1 0 1）面，而沿[1 -1 00]方向的条纹产生不完整的合并（1 1 -2 2）侧面，其平面（0 0 0 1）表面在相同的生长条件下。 通过使用光致发光（PL）和阴极致发光（CL）光谱研究室温发光特性。 发现对于定向为[1 1 -2 0]方向的三角形MQW，在400 nm处获得了均匀发射。 对于沿[1 -1 0 0]方向生长的MQW，由于横向蒸汽扩散和表面迁移，与侧壁相比，脊区域实现了较大的红移。 （C），2012 Elsevier BV保留所有权利。