量子阱数变化的InGaN / GaN发光二极管的瞬态分析

建立了InGaN / GaN发光二极管（LED）静态和动态行为的速率方程模型，并在SPICE电路仿真器上实现了该模型。 通过将模拟结果与报告的实验数据进行拟合，获得了模型的参数。 通过改变有源区中量子阱的数量，对InGaN LED的瞬态响应进行了比较研究。 仿真表明，光功率的上升时间随阱数的增加而增加，由三个量子阱组成的有源区是最优化的结构。