28 Si + 28 Si熔合过程中势垒上方的振荡

所需积分/C币:5 2020-03-26 03:00:32 489KB PDF
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已在势垒上方的范围内以非常小的能量步长(ΔElab= 0.5 MeV)测量了28 Si + 28 Si的熔合截面。 已经观察到规则的振荡,在能量加权激励函数的一阶导数中得到最好的证明。 首次在同一理论框架内,即使用浅M3Y +排斥势的耦合通道模型,再现了完全不同的行为(振荡的出现和子势垒截面的趋势)。 计算表明,通道耦合在振荡的出现中起着重要作用,并且能量加权截面的导数中的峰值与离心屏障的高度之间的简单关系丢失了,因此解释也是如此。 在库仑势垒以上的能量处,激发函数的二阶导数的乘积作为该系统的势垒分布。

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weixin_38551070 你的留言是对我莫大的支持
2020-03-26
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