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NTB60N06T4G的技术参数
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2020-12-11
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产品型号:NTB60N06T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):14最大漏极电流Id(on)(A):60通道极性:N沟道封装/温度(℃):D2PAK/-55 ~150描述:60 V, 60 A功率MOSFET价格/1片(套):¥11.20
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weixin_38664427
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