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NTB5404NT4G的技术参数
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2020-12-11
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产品型号:NTB5404NT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):40源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):4.500最大漏极电流Id(on)(A):136通道极性:N封装/温度(℃):D2PAK-3/-55~175描述:40V,136A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无
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