NTB125N02RT4G的技术参数

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产品型号:NTB125N02RT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):24(min)源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):4.600最大漏极电流Id(on)(A):125通道极性:N沟道封装/温度(℃):D2PAK 3/-55 ~150描述:125 A, 24 V 功率MOSFET价格/1片(套):￥7.60
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