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NTB65N02RT4G的技术参数
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2020-12-11
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产品型号:NTB65N02RT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):10.500最大漏极电流Id(on)(A):65通道极性:N沟道封装/温度(℃):D2PAK/-55 ~150描述:24V, 65 A功率MOSFET价格/1片(套):¥4.00
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