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NTB5605PT4G的技术参数
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2020-12-11
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产品型号:NTB5605PT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):140最大漏极电流Id(on)(A):18.500通道极性:P封装/温度(℃):D2PAK-3/-55~175描述:-60V,-18.5AP沟道MOSFET价格/1片(套):暂无
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