NIF9N05CLT1的技术参数

产品型号:NIF9N05CLT1源漏极间雪崩电压VBR(V):52源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):100最大漏极电流Id(on)(A):2.600通道极性:N沟道封装/温度(℃):SOT223/-55~175描述:保护功率MOSFET 2.6A,52V N沟道逻辑电平价格/1片(套):￥5.70