NTB30N06G的技术参数

产品型号:NTB30N06G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):42最大漏极电流Id(on)(A):27通道极性:N沟道封装/温度(℃):D2PAK /-55 ~150描述:30 A, 60 V 功率MOSFET价格/1片(套):￥6.00