不同射频溅射功率下直接制备Ca2Si薄膜 (2009年)

磁控溅射系统在恒定Ar气压和 Ar气流流量下,使用不同射频溅射功率在Si(100)衬底上分别沉积Ca薄膜;随后, 800℃真空退火 1h。立方相的Ca Si薄膜首次、单独、直接生长在Si(100)衬底上。实验结果指出,在多相共生的Ca-Si化合物中,沉积Ca薄膜时的射频溅射功率影响了立方相CaSi薄膜的质量;最优化的溅射功率是 85W。另外,退火温度为 800℃时,有利于单一相 CaSi的独立生长。并且,退火时间也是关键因素。