论文研究 - 射频溅射法生长氧化铈薄膜

所需积分/C币:6 2020-05-13 19:25:33 1.66MB PDF

在这项研究中,探索了氧化铈的射频(RF)溅射以确定操作条件对玻璃和硅基板上氧化铈膜生长的影响。 工艺变量是溅射时间,输入功率和R(Ar / O2)比。 为了更好地理解工艺变量对生长机理的影响,采用SEM,XRD和α-step工艺研究了氧化铈的晶粒尺寸和膜厚。 从SEM照片的结果,可以通过使用成像分析技术评估氧化铈的晶粒。 另一方面,根据XRD数据,借助Scherrer方程,可以确定氧化铈晶体的晶体尺寸。 晶粒尺寸大于初级尺寸,表明氧化铈晶体的附聚。 另外,在回归之后,本文讨论了参数对晶体尺寸和膜厚度的影响。

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