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射频反应溅射制备AlN薄膜的研究
射频反应溅射制备AlN薄膜的研究
射频反应溅射制备AlN薄膜的研究
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射频反应溅射制备AlN薄膜的研究,希望对大家有用
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射频磁控溅射制备氮化锌薄膜的结构和光学性质
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在室温下利用紫外光辅助反应性射频磁控溅射法沉积AlN薄膜的研究是一项关于先进薄膜沉积技术的重要工作,它涉及物理学、材料科学和电子工程等多个领域。这项研究工作旨在开发一种新型的室温沉积工艺,该工艺能够沉积...
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采用射频反应磁控溅射系统,在K9双面抛光玻璃基底上制备氮化铝薄膜,通过实验测试并结合数值拟合计算研究了其他参数保持不变的条件下,沉积气压对其结构和光学性能的影响。薄膜的微观结构通过X射线衍射和原子力显微...
C轴择优取向AlN薄膜的制备研究
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以丙酮和氢气作气源,采用微波等离子体化学气相沉积法( MPCVD)在 AlN表面制备金刚石薄膜,并 通过拉曼光谱( Raman),扫描电子显微镜( SEM)对沉积得到的金刚石薄膜进行表征。研究表明:直接在AlN表 面沉积因金刚石的形核密度很低而很难得到连续的金刚石薄膜。利用金刚石微粉研磨 AlN表面有利于金刚 石形核密度的提高,Raman分析和电镜观察发现:所得的金刚石薄膜存在杂质和缺陷,没有明显
射频磁控反应溅射氮氧化硅薄膜的研究
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脉冲准分子激光沉积AlN薄膜的研究
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溅射气压对DC磁控溅射制备AlN薄膜的影响 (2011年)
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采用 DC反应磁控溅射法,在 Si(111)和玻璃基底上成功的制备了 AlN薄膜。研究溅射过程中溅射气压对薄膜性能的影响。结果表明:薄膜中原子比 N /Al接近于1;当溅射气压低于0.6 Pa时,薄膜为非晶态;当溅射气不低于0.6 Pa时,薄膜的XRD图中均出现了6方相的AlN(100)、(110)和弱的(002)衍射峰,说明所制备的AlN薄膜为多晶态;气压为0.6 Pa时对应衍射峰的半高峰宽较小
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用射频(RF)反应磁控溅射法,在硅基片上制备出了具有较低表面粗糙度、C轴择优取向的AlN压电薄膜。讨论了溅射功率对AlN压电薄膜结构和形貌的影响、氮气含量对AlN压电薄膜成分的影响以及低温退火对薄膜表面粗糙度的影响...
射频磁控溅射两步法制备高质量AIN膜
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射频磁控溅射两步法制备高质量AIN膜的研究主要集中在纳米级铝氮化合物(AlN)薄膜的均匀晶格排列的制备上,这对高频表面声波(SAW)器件的制造具有重要意义。随着SAW器件工作频率提高至5GHz以上,对SAW器件的材料和制备...
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