脉冲准分子激光沉积AlN薄膜的研究

采用ArF脉冲准分子激光沉积法并结合退火后处理工艺,在Si(111)衬底上成功地制备了AlN晶态薄膜。X射线衍射、扩展电阻与原子力显微镜等测试结果表明：薄膜具有(101)取向,平均晶粒大小为200 nm;薄膜介电性能优异,扩展电阻在108Ω以上。