射频功率对射频磁控反应溅射制备AIN薄膜的影响 (2007年)

采用射频磁控溅射法在Si（100）衬底上制备了AIN薄膜，通过控制工艺参数可以沉积出不同择优取向的AIN薄膜，各工艺参数中射频功率对其择优取向的影响最大。XRD表征了AIN薄膜的结构，进而选择出最优射频功率。