射频反应磁控溅射制备氮化铜薄膜 (2007年)

使用射频反应磁控溅射法,在不同的射频功率和气体流量比下制备了氮化铜薄膜,并用 X射线衍射仪和原子力显微镜对薄膜的结构进行表征。研究结果表明:薄膜呈现择优生长规律,由低气体流量比的 Cu 3 N(111)晶面转向高分压的(100)面;薄膜的光学带隙在 1.44~1.69 eV之间,电阻率在 60~5.6×10 5 Ω.m之间,二者都随气体流量比的增大而增大。