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射频磁控溅射制备氮化锌薄膜的结构和光学性质
射频磁控溅射制备氮化锌薄膜的结构和光学性质
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射频磁控溅射制备氮化锌薄膜的结构和光学性质
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为了制备高效率的CdS/CdTe薄膜叠层太阳电池,本文采用射频磁控溅射技术在不同温度玻璃衬底上制备了CdTe多晶薄膜。利用X射线衍射仪其微结构;用紫外分光光度计测量薄膜的透过谱,计算出了能隙Eg;利用原子力显微镜表征其微观形貌。结果显示在常温时沉积的薄膜晶面取向性好,为立方闪锌矿型结构,有较低的透过率。以上结果表明,用射频磁控溅射技术更适于制备CdS/CdTe薄膜叠层太阳电池中的CdTe薄膜。
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射频反应磁控溅射制备氮化铜薄膜 (2007年)
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射频磁控溅射制备c轴取向LiNbO3薄膜研究 (2011年)
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采用射频磁控溅射技术,用富Li的LiNbO3靶材在Si(100)和Si(111)基底上制备了LiNbO3薄膜.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和x射线光电子能谱(XPS)对LiNbO3薄膜的结晶程度、晶体取向和表面形貌及薄膜与基底结合处的界面结构进行了研究.结果表明:样品在空气中经1 000℃退火1 h处理后,薄膜与Si基底界面处有SiO2生成,得到的LiNbO3薄膜结晶性好,
射频磁控溅射制备CdS多晶薄膜及其性能研究 (2013年)
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在室温和不同功率下,用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了CdS薄膜。运用探针式台阶仪、x射线衍射分析仪、紫外可见分光光度计、扫描电镜(SEM)等仪器对制备的CdS薄膜进行了表征分析。主要研究讨论了溅射功率对薄膜性质的影响。结果表明:制备的CdS薄膜为立方相和六方相的混合晶相,沿着六方(002)、(004)方向和立方(111)、(222)方向有着明显的择优取向;随着功率的增加,薄膜的厚度增加,晶粒的尺
用磁控溅射技术制备氮化铝薄膜
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报道了用磁控溅射制备氮化铝薄膜的工艺过程和实验结果.给出了氮化铝薄膜的光学常数与氩气、氮气压强之间的关系.结果表明,氮化铝薄膜的光学性质,很大程度上取决于氮气和氩气之间的压强比.
射频磁控溅射制备Si02薄膜及性能表征 (2010年)
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采用射频磁控溅射技术,制备4种不同溅射时间的SiO2薄膜。用XRD、PL、FTIR、UV-Vis等对薄膜的微结构、发光、红外吸收以及透、反射进行表征。结果表明:SiO2薄膜仍呈四方晶体结构,平均晶粒尺寸在17.39-19.92nm之间;在430nm附近出现了发光峰,在1049-1022cm-1’之间出现了明显的红外吸收峰,且随着溅射时间的增加发生红移;在可见光范围内平均透射率大于85%.
基体温度和氩气压强对射频磁控溅射制备GZO薄膜性能的影响 (2011年)
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采用射频磁控溅射方法,用Ga2O3含量为1%的ZnO做靶材,在不同基体温度和不同溅射压强的条件下制备了高质量的GZO透明导电薄膜。结果表明:基体温度和氩气压强对GZO薄膜的晶体结构、光电性能有较大影响。当温度为500℃,...
溅射气压对单靶磁控溅射制备的Cu2ZnSnS4薄膜结构及性能的影响
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为了考察BCN薄膜的高温抗氧化,用反应磁控溅射方法在高速钢基体上制备了BCN硬质薄膜材料,用X射线衍射仪(XRD)、高分辨透射电镜(HRTEM)、扫描电镜(SEM)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)和显微硬度计等方法研究了BCN薄膜的...
磁控溅射方法制备铜薄膜实验.docx
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室温下射频磁控溅射制备ZnO:Al透明导电薄膜及其性能研究
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