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GaAs/AlxGa1-xAs三量子阱中势垒厚度对激子结合能的影响及其压力效应
GaAs/AlxGa1-xAs三量子阱中势垒厚度对激子结合能的影响及其压力效应
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GaAs/AlxGa1-xAs三量子阱中势垒厚度对激子结合能的影响及其压力效应
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有限宽势垒AlxGal--xAs/GaAs三角势量子阱中施主结合能及其压力效应* (2012年)
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对有限宽势垒AI=Gal-x As/GaAs量子阱系统,引入三角势近似势阱能带弯曲,利用变分法讨论施主杂质态结合能.给出结合能随阱宽、杂质位置和铝组分变化关系,并与方阱情形对比.结果显示:三角势近似下结合能明显小于方阱情形,且两者的差别随阱宽和铝组分(势垒高度)而增加,随势垒厚度增加而减少,但阱内杂质位置的变化对其影响不甚敏感.进而,考虑电子有效质量、材料介电常数及禁带宽度随流体静压力的变化,所得
GaAs/AlxGal-xAs对称耦合双量子阱中激子结合能的压力效应* (2009年)
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考虑三元混晶效应,采用变分法讨论GaAs/A1xGa1-xAs对称耦合双量子阱中激子结合能的压力效应,并计算激子结合能随阱宽和中间垒宽的变化关系以及A1组分的影响.结果表明,激子结合能随阱宽的增加先增加至极大,随后减小;随垒宽则先减小到极小,随后增加.结合能随压力则近线性增加,且当阱宽较宽时,A1组分对结合能的影响不明显.
论文研究-透射式指数掺杂AlxGa1-xAs/GaAs光电阴极光学性能和量子效率仿真研究 .pdf
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透射式指数掺杂AlxGa1-xAs/GaAs光电阴极光学性能和量子效率仿真研究,冯琤,张益军,为了更好地了解影响透射式指数掺杂AlxGa1-xAs/GaAs光电阴极性能的因素,利用薄膜光学的矩阵法推导的光学性能函数,以及考虑窗口层...
基于磁约束和自旋轨道耦合GaAs / AlxGa1-xAs异质结构的自旋滤波器
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有限厚势垒量子阱中杂质态结合能* (2012年)
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在有效质量近似下,通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程,计算了在温度不为零时δ掺杂的AlxGa1-x As/GaAs双量子阱系统的电子态结构.研究了温度和掺杂浓度对双量子阱系统子带能级、费米能量、及子带间线性光学吸收...
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为了研究双量子阱的垒宽、阱宽以及杂质位置对浅施主杂质束缚能的影响,在有效质量近似下,采用变分方法计算了对称GaAs/AI。Gal一XAs双量子阱中浅施主杂质的束缚能,本文结果与已有结果吻合较好。体系束缚能随垒宽的...
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