多级内置电场作用下高级异质结构AlxGa1-xAs / GaAs光电阴极的光发射

开发了由组成渐变的缓冲层和指数掺杂的发射层组成的异质结构AlxGa1-xAs / GaAs光电阴极，以改善感兴趣波长范围内的光发射性能。 分别基于一维连续性方程推导了反射模式和透射模式AlxGa1-xAs / GaAs光电阴极的理论量子效率模型。 通过将模拟结果与常规量子效率模型进行比较，发现多层内置电场可以有效地提高量子效率，这与缓冲层参数和阴极厚度有关。 由缓冲层中的组成等级和发射层中的掺杂等级引起的这种特殊的梯度带隙结构将导致减少背面界面复合损失并有效收集产生光电子的光子。 此外，借助于推导的模型可以实现实验量子效率数据的最佳拟合，这将为评估特殊梯度带隙光电发射器的内部参数提供一种有效的方法。