掺杂浓度和温度对δ掺杂的AlxGa1-xAs／GaAs双量子阱系统电子态结构和子带问光学吸收系数的影响 (2015年)

在有效质量近似下，通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程，计算了在温度不为零时δ掺杂的AlxGa1-x As／GaAs双量子阱系统的电子态结构．研究了温度和掺杂浓度对双量子阱系统子带能级、费米能量、及子带间线性光学吸收系数的影响．研究发现，系统的本征能量随温度升高或随掺杂浓度的增大而增加；费米能量随温度升高而减小，随掺杂浓度的增大而增加；子带间总的吸收系数随温度的升高而减小，随掺杂浓度的增大而增加．除子带间跃迁3->6，4->5随温度升高线性光学吸收系数增加外，其他各主要子带间跃迁随温度升高线性光学吸收系数而减