GaInP/ (AlxGa1- x)InP多量子阱结构的光荧光特性分析 (2003年)

利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)技术生长了GaInP/( AlxGa1- x) InP多量子阱(MQW) 结构材料,对其进行光荧光特性测量,观察到在波长=647 8 nm和=861 6 nm处分别存在一个强发光锋和一个弱发光峰.理论计算和实测结果基本一致.