GaInP/AlGaInP应变多量子阱激光器垂直于结方向上的光束质量研究

用转移矩阵方法对680nmGaInP/AlGaInP应变多量子阱激光器的波导模式作了分析和计算。根据非傍轴光束传输的矢量矩理论，对该激光器垂直于结平面方向上的光束质量因子M2⊥进行了理论计算，结果表明M2⊥小于1，和实验结果相符合。这一结果有助于认识半导体激光器垂直于结方向上光束的内在本性。