有限厚势垒量子阱中杂质态结合能* (2012年)

利用变分法对有限厚势垒GaAs／AlxGa1-x As量子阱结构中杂质态结合能进行数值计算，给出杂质态结合能随阱宽、垒厚和杂质位置的变化关系，且与无限厚势垒情形进行比较．结果表明，有限厚势垒杂质态结合能明显小于无限厚势垒情形．同时，在中间阱宽时，这两种情形的杂质态结合能差别最大，在宽阱时，差别最小．此外，还考虑电子有效质量、材料介电常数及禁带宽度随流体静压力变化对杂质态结合能的影响．