有限宽势垒AlxGal--xAs/GaAs三角势量子阱中施主结合能及其压力效应* (2012年)

对有限宽势垒AI=Gal-x As/GaAs量子阱系统，引入三角势近似势阱能带弯曲，利用变分法讨论施主杂质态结合能．给出结合能随阱宽、杂质位置和铝组分变化关系，并与方阱情形对比．结果显示：三角势近似下结合能明显小于方阱情形，且两者的差别随阱宽和铝组分(势垒高度)而增加，随势垒厚度增加而减少，但阱内杂质位置的变化对其影响不甚敏感．进而，考虑电子有效质量、材料介电常数及禁带宽度随流体静压力的变化，所得结果显示，结合能之差在压力作用下明显增大．