130N03L-VB；Package：DFN8(3X3)；Configuration：Single-N-Channel；VDS：30V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=19mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=13mΩ@VGS=10V；ID：30A；Technology：Trench；
根据提供的文档信息，我们可以深入解析这款名为130N03L-VB的N-Channel沟道DFN8(3x3)封装MOS管的关键技术特性与应用领域。
### 一、产品概述
130N03L-VB是一款采用DFN8(3x3)封装的N-Channel沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），该MOS管具有低导通电阻、高可靠性等优点，并且符合无卤素环保标准。其主要电气参数包括：
- **最大漏源电压(VDS)**：30V
- **最大栅源电压(VGS)**：±20V
- **阈值电压(Vth)**：1.7V
- **导通电阻(RDS(on))**：在VGS=4.5V时为19mΩ，在VGS=10V时为13mΩ
- **最大连续漏极电流(ID)**：30A
- **制造工艺**：Trench技术
### 二、关键技术参数
#### 1. 绝对最大额定值
绝对最大额定值是指在不损坏器件的情况下，该器件所能承受的最大值。这些参数包括但不限于：
- **漏源电压(VDS)**：最大30V。
- **栅源电压(VGS)**：最大±20V。
- **连续漏极电流(ID)**：在不同温度条件下，最高可达17.1A至30A。
- **脉冲漏极电流(DM)**：100A。
- **连续源极-漏极二极管电流(IS)**：最高13A。
- **单脉冲雪崩电流(IL)**：0.1mA。
- **雪崩能量(AS)**：最高5mJ。
- **最大功率耗散(CPD)**：60W。
- **工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg)**：-55°C 至 150°C。
#### 2. 静态参数
静态参数反映了MOS管在静态条件下的性能指标：
- **漏源击穿电压(VDS)**：当ID=1mA时，最小30V。
- **漏源电压温度系数(ΔVDS/T)**：ID=250µA时，约为27mV/°C。
- **阈值电压温度系数(ΔVGS(th)/T)**：未给出具体数值。
#### 3. 热阻参数
热阻参数对于评估器件的散热能力至关重要：
- **结到环境的热阻(RthJA)**：最大34°C/W。
- **结到脚（漏极）的热阻(RthJF)**：67.5°C/W。
### 三、应用领域
130N03L-VB适用于多种应用场合，主要包括：
- **DC/DC转换器中的低侧开关**：用于电源管理中的电压转换。
- **笔记本电脑**：在笔记本电脑的电源管理和保护电路中使用。
- **游戏设备**：适用于高性能游戏设备中的电源管理电路。
### 四、特性亮点
除了上述参数外，130N03L-VB还具有以下特点：
- **无卤素**：符合环保标准，适合于绿色电子产品的设计。
- **TrenchFET® Power MOSFET技术**：采用先进的Trench技术，降低导通电阻，提高整体效率。
- **全面测试**：100%的Rg和UIS测试确保了产品的可靠性和一致性。
### 五、总结
130N03L-VB是一款性能优异的N-Channel沟道DFN8(3x3)封装MOS管，其低导通电阻、高可靠性以及环保特性使其成为多种电源管理应用的理想选择。通过了解其关键参数和技术特点，可以帮助工程师更好地评估和选择最适合其应用需求的产品。
此外，需要注意的是，虽然上述参数提供了关于130N03L-VB的关键信息，但在实际应用过程中还需根据具体的工作条件和系统要求进行详细的设计考虑，确保所选MOS管能够在预期的应用场景下稳定、高效地工作。
